半导体材料刻蚀加工平台-半导体测试-天津材料刻蚀加工平台

mems材料刻蚀加工——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要---半导体产业发展的应用技术研究，半导体材料刻蚀加工平台，---重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

在半导体器件制造中，蚀刻是指选择性地从衬底上的薄膜去除材料并通过这种去除在衬底上创建该材料的图案的技术。该图案由一个能够抵抗蚀刻过程的掩模定义，其创建过程在光刻中有详细描述。一旦掩模就位，就可以通过湿化学或“干”物理方法蚀刻不受掩模保护的材料。

从历看，湿化学方法在用于图案定义的蚀刻中发挥了重要作用，随着器件特征尺寸的减小，表面形貌变得关键，湿化学蚀刻让位于干蚀刻技术。这种转变主要是由于湿蚀刻的各向同性。

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材料刻蚀加工平台——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要---半导体产业发展的应用技术研究，氮化镓材料刻蚀加工平台，---重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，流道材料刻蚀加工平台，以及行业应用技术开发。

si3n4刻蚀：

在903e刻蚀机中刻蚀，刻蚀机内通入的气体有：cf4、nf3、he。

刻蚀机理是： cf4电离***cf3+f*氟自由基

cf3电离***cf2+f*

cf2电离***cf1+f*

12f*+ si3n4***3si f4↑+2 n2↑

氟游离基的作用是使氮化硅被腐蚀，生成物是气体，被真空装置抽气抽走。为了加快腐蚀速率可以在cf4中加入少量氧气5%-8%，天津材料刻蚀加工平台，因为氧能够抑制f*在反应腔壁的损失，并且：cf4+o2***f* +o*+cof*+cof2+co+…… 电离

cof*寿命较长，当它运动到硅片表面时发生以下反应从而加速了腐蚀速率：

cof****f* co 电离

但是氧气加多了要腐蚀光刻胶降低选择比。